2027年将是 iPhone 问世的第 20 周年，而苹果似乎也正准备在这一年推出一款「史上最大胆」的全新设计。 从外型到内部规格，这款爆料中的 iPhone，可能会彻底翻转我们对手机的想象。 以下整理了目前报道整理出的6大重点突破，一次带你看懂这款iPhone的未来感进化！
重点抢先看
- 四边曲面屏幕：屏幕包覆四边，几乎看不到边框，极致沉浸感。
- 真全屏幕设计：无刘海、无开孔，镜头与 Face ID 全在屏幕下。
- 屏幕下Face ID：从iPhone 18开始试水温，20周年机型完全隐藏。
- 采用纯硅电池：纯硅电池可以塞进更多电量、手机却不变厚。
- 更省电OLED芯片：采用16纳米制程技术，让屏幕更亮但更省电。
- 引入高带宽记忆体：让 iPhone 在手机上直接跑大 AI 模型不卡顿。
- 全新作体验挑战：Apple传开发新手势与防误触技术因应无边框屏幕。
01. 真正无边框设计
多家表示，20 周年 iPhone 将会采用全新无边框外型设计，比我们想象的超窄边框更前卫。 苹果打算加入「四边弯曲显示技术」，不只左右侧边，而是连上下边框也会被屏幕包覆，形成一种全方位视觉延伸的效果。 屏幕画面将从机身四边流动，就像把整支手机变成一块会发光的玻璃，视觉震撼程度可能远胜以往。
而过去三星g Galaxy Note也曾推出过侧边下弯屏幕，但仅有左右两侧，而苹果的是连上下都包覆，甚至包覆感有机会更胜一筹。
02. 屏幕下 Face ID 设计
为了实现「真正的全屏幕」，苹果传出将把 Face ID 感测器与前镜头移到屏幕下方。 这项技术已在部分 Android 手机上初步实现，但苹果爆料中的版本，可能会通过「自由曲面光学系统」，解决画质变暗与变形的问题。
为了让这款 20 周年 iPhone 的屏幕下 Face ID 可以完美搭配机身软、硬件，预计在 2026 年登场的 iPhone 18 Pro 系列就会先用上类似「屏幕下 Face ID」，只留下小小的前镜头孔，而这也被外界视为苹果迈向「完全无开孔」设计的过渡阶段。
03.16纳米OLED显示芯片更省电
Apple也计划在内部规格上进行升级。 这次传出会采用16纳米FinFET制程的OLED驱动芯片（DDI），取代目前28纳米制程。
这项升级不仅可以实现屏幕无边框技术，更有助提升续航力，让 20 周年 iPhone 不仅可以轻薄，也可以维持高续航力。
04. 搭配高带宽内存
为了应付未来 AI 需要高速运算的趋势，Apple 考虑在 iPhone 20 周年机型中，使用目前只出现在高端 AI 服务器的「超高带宽内存」 Mobile HBM（高带宽内存）。
这种内存速度超快，让 iPhone 能更顺畅地处理大量数据，对 AI 功能帮助很大。 重点是，它也比传统内存更省电、更节省空间，适合用在手机这种小小的装置里。
目前传出苹果已经和三星星、SK Hynix这些内存大厂讨论合作，看看能不能把这项技术带进未来的iPhone里。 如果真的导入成功，未来的 iPhone 就可能继续保持不需要靠网络、也能在本地快速完成语音识别、图像处理，甚至大型 AI 功能的能力！
05. 改用「纯硅电池」
为了让 20 周年 iPhone 更薄、续航力更高，Apple 也可能同时弃用传统的石墨电池，改采「纯硅电池」
这类电池的优势在于能量密度更高，也就是在不增加体积的情况下，能塞进更多电量，预计未来很多手机的电池设计也会朝这个方向做调整。
06.作逻辑大改版
前面提到的「无边框设计」不只会让机身结构做出大调整，摔落时的破裂可能性也提高，因此必须要针对这个问题做解决。 此外，屏幕延伸到四边框下的设计，等于用户直接握在屏幕上，必须要设计防误触机制，或是从iOS的作界面中做调整，这些都是在 20 周年 iPhone 推出以前必须要考量到的问题。
总结：20 周年 iPhone 20 能有大突破？
从设计外观、显示技术、芯片能效、AI 内存到全新电池，苹果看来正准备将这款20周年iPhone打造成一部前所未有的未来科技样品机。
虽然这些消息仍处于爆料阶段，距离正式发表还有2年时间，但若这一切成真，2027年的iPhone将不只是纪念产品，而是Apple再一次改写智能手机发展史的代表之作。
