先前已有消息指出，AMD Radeon RX 9070 XT显卡会改用Samsung开发的GDDR6内存模组，进而取代原本的SK Hynix模组，因此市面上贩售的RX 9070 XT，就有分成这二个存储器的版本，但包装上不会特别说明。 而根据B站频道最新视频分享，他们总共测试22张RX 9070 XT显卡，发现到搭载的GDDR6内存若来自Samsung，效能表现平均会比搭载SK Hynix慢一些。
这是由B站频道51972所发现，最近他们几乎测试了所有市售的RX 9070 XT显示卡，总共有22张，运行3DMark Speedway压力测试，从下图可以看到，排名前面12张显卡都是搭载SK Hynix内存模组，后面10张则是Samsung内存模组，整体换算下来，大约慢1%~2%：
即使是测试中表现最快的三星存储器版本，分数也低于表现最差的SK Hynix内存版本。 换句话说，Samsung在效能上全部落后，没有一张能赢过SK Hynix。
虽然 3DMark Speedway 不能代表真实游戏效能，但还是能反映出显卡内存效能的差异。
为此，51972也有向AMD询问这个状况，AMD回应表示，效能差异确实来自内存模组差异，并进一步指出三星存储器采用「较宽松的时序（looser timings）」，是导致效能下降的主因之一。
「时序」指的是存储器内部读写动作之间的延迟设置，时序较宽松虽然有助于稳定性和降低发热，但会影响到数据存取效率，进而降低整体效能表现。
尽管效能差了一点，但发热变低也代表，三星存储器版本的显卡温度表现会比较好，因此这也可能是AMD决定改用Samsung内存模组的主要考量，很可能是希望提升散热与稳定性，但也可能跟供应链或成本优化有关。
无论如何，这次两者的差距是因为3DMark Speedway跑分成绩才被发现，在实际游戏中，1%至2%的差异，绝大多数玩家应该都不会感受。
如果你是追求极致效能或超频玩家，那搭载 SK Hynix 内存版本会是更好的选择。 而偏好低温、更安静的使用过程，则可以考虑三星版本。
